镀膜设备厂用验证片
上海奥麦达微提供半导体镀膜设备（磁控溅射镀膜设备，化学气相沉积镀膜设备，原子层沉积镀膜设备，电化学镀膜设备）在设备开发，工艺验证中用到的各类验证片
其中包括
类型1：Silicon Trench Wafer 深沟槽硅片
此类硅片，主要用于评估设备厂的镀膜工艺在深沟槽内的覆盖能力，以确定设备工艺是否能够满足先进封装TSV工艺深孔溅射等应用的要求
针对大线宽，深刻蚀，我们采用DRIE BOSCH工艺,针对小线宽，深刻蚀，我们采用ICP刻蚀工艺 。
加工能力如下：
SIZE:4-12inch
曝光工艺：电子束光刻 ，DUV光刻 ，接触式光刻，激光直写
刻蚀工艺及对应深宽比：DRIE刻蚀（40:1） ICP刻蚀（8:1）刻蚀深宽比也与线宽有较大的关系
刻蚀深度：MAX 1mm@SIlicon Wafer
最小线宽：40nm
我们有多重线宽的现成的DUV掩膜版，
hole：
200nm、400nm、500nm、600nm、1.2um、2um
line：
110nm、200nm、700nm 1um 2um 4um space
pillar：
Dia: 150nm、200nm
案例展示：深硅刻蚀槽图案，CD200nm Etching Depth:800nm
