6英寸150nmDUV步进式光刻
当您看到这个网页，如果对这种光刻方式的了解有限，请看这个文章
背景及工艺能力
背景：目前半导体行业主流的 5 种获得光刻胶图案工艺为接触式曝光（最小线宽 2um），激光直写（最小线宽 500nm），步进式曝光（Krf 最小线宽 150nm，ArF 最小线宽 90nm），纳米压印（最小线宽几十 nm）电子束光刻（最小线宽几十 nm）。国内在电子束，激光直写，接触式光刻，纳米压印设备均有较高的设备保有量.但是在进行小线宽加工时，电子束光刻的成本高昂，且产出低，效率低，进行纳米压印加工时需要获取其 1:1 复制的母版，同样成本高昂，且工艺流程长。步进式曝光国内有一定的保有量，但是科研院所和高校内部的 DUV 大多在 350nm,450nm,500nm 以上线宽.很多行业高速发展，AR 衍射光波导，超透镜，光子集成线路行业对线宽提出了更高的要求，上述市场的应用多在 250nm 以下。所以为了解决小线宽产品，低成本，高产出，高效率，高精度的制造的问题。上海奥麦达微提供 6 寸步进式曝光加工。其最小线宽为 150 nm，可用于大批量生产。该设
备具有全自动旋涂、显影和曝光功能，一小时可处理 20 片 6 英寸晶圆。其速度惊人.考虑到科研院所 ，高校等对此类加工的需求和经费有限的现状，上海奥麦达微提供 2 种加工模式。
目前用的设备为Canon 3030 6寸 ASML 4寸 8寸
1.适合加工线宽范围;2um-130nm
2.可接受的衬底;468寸衬底 ，但是 需要注意的是DUV对衬底的要求比较高 ，举例我们用的佳能6寸DUV设备就需要衬底
A：倒角C>0.2
B:TTV<5um BOW<20um WRAP<20um
C:平边57.5mm
D.支持的最大厚度为800um
3.步进式曝光设备不同于接触式曝光设备是整面曝光，接触式属于一次整面曝光，步进式属于分区域曝光，每次曝光的最大面积，也叫最大写场为20×20mm，即您的单颗芯片的最大图案尺寸不能超过这个大小，如果超过这个尺寸，则需要多片掩模版拼版加工，举例，如果您的图案尺寸是 20-30，就需要2块mask，40-40就需要4块mask 50-50就需要9块板子
4.缩放比例为5比1，即您想要做200nm线宽的图案，那么要做的掩膜版的线宽是1um的，步进式的板子因为有了这个缩放比例所以这个板子才那么便宜
5.掩模版的制备有激光直写和电子束曝光两种，电子束曝光得出的掩模版具有更好的线宽精度，曝光得到的图案线宽精度也会更准确，但是电子束曝光制造的掩模板的价格比激光直写的掩模版的成本高很多
6.结论：当线宽小于150nm（我单位最小线宽150nm），且需要大面积加工或者多个样品的时候，选择步进式光刻
设备介绍：
• 基片尺寸：6 英寸
• 单颗 DIE 最大尺寸：22*22mm
• 最小线宽：150 nm
• 掩模缩放比：5 : 1
• 对准精度: ≤40 nm
• 对焦精度: ≤100 nm
• 步进精度: ≤20 nm
• 套刻精度：30-50nm
•支持晶圆厚度：1mm
•支持晶圆厚度：1mm
应用领域：150nm 线宽以上的各种微纳结构的加工，衍射光波导，超结构，氮化硅，铌酸锂，硅光波导，其他微纳结构
业务模式介绍
加工模式 1：GDS TO DIE（经费充足情况下）
在此模式加工，我司全程负责加工，客户只需要提供版图,我司收到客户版图后，进行评审和指标确认，最终出具验收标准，我司依照客户的需求进行全流程的加工，预付款，制版，涂胶曝光，显影，刻蚀，切割，打包，出货，客户验收，结算尾款。
客户权益的保证：最终的交付以验收标准作为客户权益的保证手段。
预计成本：以产出 1 片 6 寸 200nm 线宽结构晶圆为准，预计收费 6.5 万 1 片 ，8 万 2 片 ，
9.5 万 3 片
加工周期：3-4 周
加工模式 2：GDS TO Pattern（预算有限）
在此模式，我司仅仅进行制版，曝光，显影的加工，客户可以获得带有光刻胶的图案，这种模式是考虑到 1.绝大多数高校拥有刻蚀机，可以完成曝光后的加工艺部分 2.这种模式可以节约成本。
客户权益的保证：最终的交付以验收标准作为客户权益的保证手段。
预计成本：新结构，分实验片和正式片工艺
1. 实验片验证
客户提供 1 片基片，我们做 FEM（曝光切割 SEM 等），确定该膜层结构下的精确曝光剂量，总流程收费 9000。
2. 正式片加工
按照实验片验证的参数进行光刻，3 片 8500，4 片 9800 元，如与实验结果有明显差异，全部免费 rework
加工周期：1 周
案例展示
