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超薄晶圆

6寸硅片/铌酸锂临时键合与减薄，上层硅厚度减薄到了21.2-22.2um，TTV=1.0um。

8寸超薄硅晶圆，厚度6.5um 硅和玻璃临时键合 ，TTv0.7um

12寸硅片和玻璃临时键合，减薄到15um

8英寸单晶铌酸锂减薄到8-20微米（PPLN器件，压电MEMS器件应用）

6英寸钽酸锂减薄到20-50微米（热释电器件应用）

6英寸氧化镓减薄到30微米（大功率器件散热）

2英寸磷化铟减薄到20-50微米（光电器件散热）