原子层镀膜
加工能力:
可沉积薄膜:
半导体应用:氧化铝(Al2O3),氮化铝(AlN),氧化硅(SiO2),氮化硅(Si3N4),氧化铪(HfO2),氮化铪(Hf3N4),氧化钛(TiO2),氧化钽(Ta2O5),氮化钽(TaNx)。
光学应用:增透膜
支持尺寸:2-8寸(部分材料支持12寸工艺)
设备:Beneq TFS 2000
基本原理:
原子层沉积(ALD)是一种基于连续使用气相化学过程的薄膜沉积技术;它是化学气相沉积的一个子类。大多数 ALD 反应使用两种称为前体(也称为“反应物”)的化学物质。这些前体以连续、自限的方式与材料表面一次发生一个反应。通过反复暴露于单独的前体,薄膜缓慢沉积。 ALD 是制造半导体器件的关键工艺,也是合成纳米材料工具集的一部分。
优点:
A--ALD能够逐层沉积薄膜,从而对薄膜厚度进行出色的控制。这种精度在半导体等应用中尤为重要,因为在半导体应用中,纳米级的变化会显著影响器件性能。
B--传统的沉积技术难以均匀地涂覆复杂的结构,导致薄膜不均匀。原子层沉积克服了这一挑战,即使在复杂的几何形状中也能确保共形覆盖,使其适用于微电子和微机电系统(MEMS)器件。
C--ALD的自限性反应使薄膜高度均匀,没有缺陷和厚度变化。这种均匀性对于薄膜晶体管和保护涂层等应用至关重要。
D--原子层沉积适用于各种材料,从氧化物和氮化物到金属和有机化合物。这种多功能性允许创建新颖的材料组合和功能结构。
E--ALD的共形性质延伸到纳米孔和纳米管等高纵横比结构,从而实现了能量存储和催化的创新。
与传统方法相比,ALD的受控工艺减少了材料浪费和能源消耗,符合可持续制造实践。
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