接触式光刻加工
接触式光刻特点
1.适合加工线宽寸范围；大于2um的线宽的图案加工
2.掩膜版和图案尺寸1比1，即您想要做3um线宽的图案，那么要做的掩模板也是3um线宽的
3.由于是接触式曝光，单个图案面积可以为任意大（划重点，不能比晶圆大）。
4.常用于2um线宽以上微纳结构的加工，正面对准精度: ≤0.5 μm ，背面对准精度: ≤1 μm
5.支持小片的曝光
6.一般如果是小面积加工可以优选直写，但是要加工的样品比较大，就可以选择接触式光刻
7.结论：当线宽>2um，且需要多个样品的时候，或者版图面积比较大的时候就需要接触式光刻
基本原理：
通过光学投影系统，图案被照射到光刻胶上，引起光刻胶的化学变化，使其能够被溶剂所溶解。特定区域的光刻胶区域被去除，从而将掩膜版上的图形转移到晶圆上。掩膜版上的图案与光刻胶层上图案的比例为1:1。
加工能力：
接触式光刻机（MA6、EVG)
样品大小:1cm*1cm小片儿、2寸、4寸、6寸、8寸
最小线宽间距 2um 套刻精度±1um
相关设备精度介绍：
设备名称 ：双面对准光刻机
品牌型号：EVG 620NT
配置指标
• 基片尺寸：碎片/2/4/6 英寸
• 支持双面对准、键合对准
• 最小线宽：0.8 μm
• 光强均匀性: ≤3%
• 正面对准精度: ≤0.5 μm
• 背面对准精度: ≤1 μm 微纳结构与器件图形光刻
