离子注入
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业务流程：
需要进行离子注入加工的客户 请 提供以下信息（知道哪个填哪个）：
样品尺寸(最大12寸)：
样品厚度（最厚1.3mm）：
样品材质：
注入角度（一般7度或者0度）：
需要注入的元素：
注入能量：
注入剂量：
退火条件针对退火我们提供3种退火工艺（RTA快速退火,LPCVD炉退火和FLA闪光退火）：
关于注入能量 注入剂量 注入深度之间的关系 ，请参考此文章 ：离子注入工艺中 注入能量 注入剂量 注入深度 注入角度之间的关系
注入能力汇总：
离子注入：
气态注入：B,P,F,Al,N,Ar,H,Si,As,O,He,C
注入能量范围：10KeV-900KeV
注入剂量范围：e11-e15
固态注入：镍 铝 铜 铁 锆 锌 猛 钛 铬 银 镁 锡 铅
注入能量范围：<=50Kev
注入剂量范围：e15-e19
MeV 注入设备
#最大能量2MeV 最大剂量跟注入时间有关系
#衬底可加热至500度
#工艺成熟度：高
#最大尺寸6-6mm
#周期7天(国内加工）
能提供MeV级Fe、Ni、Cu、V、Ti、Mo、Zr、Mg、Al、Si、Au、Ag、N、O Er 等元素的离子束，温度室温 - 800℃
同时提供离子注入后退火服务
应用：
金刚石色心 碳化硅色心 硅色心制造
绝缘体上硅SOI晶圆的制造
LNOI LTOI等复合衬底的制造
原理：
离子注入是一种低温过程，通过该过程将一种元素的离子加速进入固体靶材，从而改变靶材的物理、化学或电学性质。离子注入用于半导体器件制造和金属精加工以及材料科学研究。如果离子停止并保留在目标中，则它们可以改变目标的元素成分（如果离子的成分与目标不同）。当离子以高能量撞击目标时，离子注入还会引起化学和物理变化。高能碰撞级联可能会损坏甚至破坏目标的晶体结构，并且足够高能量（数十兆电子伏）的离子可以引起核嬗变。
