深硅刻蚀
Hello 这个界面主要介绍深硅刻蚀相关的介绍，首先我们将会介绍我们使用的设备
设备名称：深反应等离子体刻蚀系统
品牌型号：SPTS Omega LPX Rapier（4-8寸） AMAT(12寸)
主要功能：刻蚀各类硅基材料，尤其适用于高深宽比的刻蚀工艺，最大深宽比50:1
尺寸：最大12寸
最大深宽比：50:1
刻蚀垂直度：90度
最大刻蚀深度：675um
应用：
#1：声波滤波器和MEMS传感器的背面开腔
#2：TSV工艺中的深硅刻蚀
#3：硅通道的制备
我们的优势：
先进的光刻工艺：光刻介绍
深硅刻蚀的前一步是光刻工艺，我们除了拥有先进的深硅刻蚀工艺之外，还拥有先进的光刻工艺，晶圆级加工的最小节点到 150nm，小片级加工的最小加工到50nm
与键合工艺相结合创造更多可能：键合介绍
我单位可对深硅刻蚀后的结构片与玻璃，硅，碳化硅等多材料做键合
与多种镀膜工艺结合创造更多可能：镀膜介绍
举例：镀上多层介质膜反射镜，开发空芯光波导
案例展示：
