原子层镀膜设备
上海奥麦达微提供原子层沉积设备定制化研发生产，我们具有极强的定制开发能力，可以针对客户的需求进行定制化的设备和工艺方案 。
同时我们提供原子层镀膜代工服务：代工服务请浏览此网页：原子层镀膜代工
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我们提供的原子层沉积镀膜设备类型：
产品亮点：
采用半导体级双腔体设计，大幅缩短吹扫时间，降低类CVD反应可以针对不同形状的样品定制不同的内腔体实现不同的科研目标腔体GDU前驱体快速阻断设计提高生长质量热源采用金属热辐射设计，保证温度的一致性防止管路堵塞高度开放的recipe，例如真空调速或暂停模式，适应不同的工艺需要6. 8 inch 12inch硅片氧化铝非均匀性0.5 %以内
单腔体 ALD
双腔体侧流/喷淋盘热法 ALD
双腔体侧流/喷淋 ICP ALD
双腔体侧流/喷淋 CCP ALD
多片Batch ALD
空间型ALD设备
ALD设备技术路线对比
技术路线 | Thermal-ALD | CCP PE-ALD | ICP PE-ALD |
工作原理 | 纯热驱动反应，无等离子体 | 电容耦合等离子体，低密度等离子体 | 电感耦合等离子体，高密度等离子体 |
沉积温度 | 较高（通常200-400 ℃） | 较低（可降至50-200℃） | 更低（可低于50 ℃） |
薄膜质量 | 致密、均匀，适合高质量薄膜 | 较好，但可能因离子轰击产生缺陷 | 优良，高活性自由基提升薄膜质量 |
台阶覆盖率 | 极佳（>95%） | 良好（>90%），可能受等离子体分布影响 | 良好（>90%），均匀性略优于CCP |
沉积速率 | 较慢 | 中等 | 较高 |
适用材料 | 氧化物、氮化物、金属等广泛材料 | 对温度敏感的材料（如有机基底） | 对温度敏感的材料，需高活性的难沉积材料 |
等离子体损伤 | 无 | 可能因离子轰击造成基底或薄膜损伤 | 较低，因离子能量可控 |
离化率 | / | 较低 | 较高 |
设备复杂度 | 较低 | 中等 | 较高 |
装机案例：
业界极致的均匀性：
首创双腔喷淋盘式工艺腔体，领先业内均匀性水准，
8-inch 硅片氧化铝工艺，非均匀性0.26%！
设备可配套成熟的工艺方案：
高迁移率IGZO-TFT成套工艺方案
高质量高K材料工艺方案
铁电材料ZrO2-HfO2成套工艺方案
低阻氮化钛成套工艺
深通孔工艺recipe定制方案
异形件定制化工艺腔体方案
氧化钇防腐涂层
有机分子层
Pt，Ru，Cu，W, Ir金属制程
二次电子发射工艺方案
低温无损制程
微纳光栅
薄膜封装钝化
售后方案：
提供为期2天的ALD技术培训服务
江浙沪48小时到达现场、其他地区96小时内到达现场
保修期内非人为损坏免费更换，差旅费3500元/天
委托开发新工艺
新型前驱体委托开发或代购
设备设计案例：
首创双腔喷淋盘式工艺腔体----领先业内均匀性水准
工艺案例：
高温高湿加速环境550小时---OLED完好
泄漏电流密度（由 H2O 和 HyALD 法制备的 HfO2）
ALD技术经验交流
基板及设备洁净永无止境（非常重要！）
真空漏率要引起重视
前驱体（MO源）的纯度
内腔体的侧漏
工艺腔体particle的彻底清理
purge气体纯化
敏感材料如氧化锌的基板提前钝化
严格的定期维护
