薄膜硅光：常见厚度220nmSi-3umSiO2-675umSi(有库存)，可以定做其他厚度，同时也有单高阻SOI晶圆用于异质集成（异质集成PD）,双高阻SOI晶圆用于CPO

厚膜硅光：常见厚度3000nmSi-3umSiO2-675umSi(有库存)，该工艺为芬兰VTT公司提出，与OKEMTIC公司合作开发，目前我单位在6寸上可以达到与OKemetic同样器件层厚度精度+-100nm

ALOOI晶圆；--氧化铝薄膜晶圆，键合工艺和镀膜工艺

TAOOI晶圆--氧化钽薄膜晶圆，镀膜工艺

SINOI晶圆--超低损耗氮化硅薄膜晶圆，160nm-180nm-200nm-300nm-350nm-400nm-800nm

SICOI晶圆；新型量子光学平台500nm-700nm-1um

8寸LTOI晶圆批量供应；铌酸锂的有力的竞争对手，薄膜钽酸锂晶300600

8寸LNOI晶圆;8寸LNOI助力更大规模薄膜铌酸锂产品量产

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法国格勒诺布尔，2025年12月9日——量子微电子领域的先锋公司Quobly宣布，在构建其工业价值链方面取得了重要里程碑，Soitec首次提供的定制28Si FD-SOI晶圆现已在法国克罗莱（Crolles）的STMicroelectronics 300mm制造设施中进行循环使用。这是建立从先进材料到量子集成电路的完整供应链的重要步骤，也是两家公司战略合作的一部分。Quobly在向百万量子比特技术迈进的路线图中的这一里程碑标志着全球首个28Si富集通道的FD-SOI技术突破，并确认了加速量子处理器单元（QPU）工业化的巨大潜力。

Quobly首席工程官Nicolas Daval表示：“纯化同位素28 FD-SOI晶圆的工业化可用性是量子技术的一个突破性进展。它使我们能够在从纯化气体到量子芯片交付的可靠供应链中推进我们的开发，这对于实现我们的量子性能目标至关重要。”

Soitec首席技术官、创新高级执行副总裁Christophe Maleville表示：“我们很自豪看到Soitec的先进基板为欧洲量子生态系统的崛起做出贡献。这一里程碑展示了我们在半导体材料工程方面的专业知识如何支持下一代量子技术的诞生。”

Si28解锁量子性能

这些由Soitec工业化生产线制造的新型28Si FD-SOI基板经过精心设计，消除了同位素杂质，显著减少了量子噪声，并解锁了接近99.999%的单量子比特门保真度，这是构建可靠且可扩展的硅基量子处理器的基石。

FD-SOI启用量子设备

通过将经过验证的低噪声且兼容CMOS架构的FD-SOI平台与28Si富集硅通道相结合，Quobly为硅基量子处理器开辟了一条可扩展的路径，从而受益于工业半导体制造的成熟性和可靠性，从制造数百万个物理量子比特到实现数千个逻辑量子比特。这些量子处理器将解锁在材料发现、能源优化和生物技术建模等领域的新能力，推动各关键行业的创新和价值创造。

构建欧洲价值链

这一里程碑凸显了合作的强大力量：Soitec负责先进基板的工业制造，STMicroelectronics负责在高容量300mm晶圆厂中验证技术和工艺，Quobly则负责量子设备的开发。首批晶圆批次正在克罗莱进行处理，基于ST的28nm FD-SOI工艺，正在进行持续的工艺开发和工业化建设，预计这些原型设备的最早性能指标将在2026年第一季度发布。

关于Quobly

Quobly是量子微电子领域的先驱，利用成熟的半导体制造工艺开发硅基量子芯片。公司成立于2022年，位于法国格勒诺布尔，基于世界级机构CEA-Leti和CNRS之间超过15年的合作研究，结合了量子物理和微电子学的专业知识。Quobly由量子物理博士Maud Vinet和半导体量子工程领域的专家Tristan Meunier共同创立，Maud Vinet出版了300多篇论文并拥有70多项专利，Tristan Meunier在诺贝尔奖得主Serge Haroche的指导下培养，Quobly将科学与工业相结合，致力于实现量子计算的可扩展性和可制造性。