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#钛酸锶外延片 #钛酸钡外延片 

La Luce Cristallina的锶钛酸绝缘晶圆平台支持量子、低温和非线性器件应用

划重点--销售晶圆和加工

#钛酸钡薄膜晶圆 #钛酸锶薄膜晶圆

#光子晶体腔电子束光刻刻蚀加工

468寸PLZTOI薄膜晶圆--180pm/V电光系数高

SOI晶圆：--220nm薄膜/ 3um厚膜-3umSIO2-675um，1万欧双高阻做探测器和量子器件

GEOI晶圆--做探测器和中远红外波导，SMARTCUT工艺

InGaPOI晶圆：2阶和3阶非线性器件--mbe

AlGaAsOI晶圆：非线性器件--mbe

BTOOI薄膜晶圆--PVD MBE

ALNOI晶圆；紫外波导器件和紫外非线性器件

ALOOI晶圆；--氧化铝薄膜晶圆，键合工艺和镀膜工艺--紫外波导器件

TAOOI晶圆--氧化钽薄膜晶圆，离子束溅射镀膜工艺，吸收小损耗低 

SINOI晶圆--超低损耗LPCVD+annealing氮化硅薄膜晶圆，210nm-300nm-400nm-800nm

SICOI晶圆；新型光量子波导平台减薄抛光工艺500nm-700nm-1um

8寸LTOI晶圆批量供应；铌酸锂的有力的竞争对手，薄膜钽酸锂晶300600

6寸X切Z切掺镁薄膜铌酸锂晶圆 ，厚膜 3um 5um 和 薄膜 100-600nm

8寸LNOI晶圆;8寸LNOI助力更大规模薄膜铌酸锂产品量产

流片： 6寸 氮化硅 铌酸锂 硅光 超高性价比流片， 1个BLOCK的价格买一整片晶圆

划重点--全国产-超高性价比-6 寸硅光-氮化硅-铌酸锂流片白皮书

我们为客户提供晶圆（硅晶圆，玻璃晶圆，SOI晶圆，GaAs，蓝宝石，碳化硅（导电，非绝缘），Ga2O3,金刚石，GaN（外延片/衬底）），镀膜（PVD,cvd,Ald，PLD）和材料（Au Cu Ag Pt Al Cr Ti Ni Sio2 Tio2 Ti3O5，Ta2O5,ZrO2,TiN，ALN,ZnO,HfO2。。更多材料），键合（石英石英键合，蓝宝石蓝宝石键合）光刻，高精度掩模版，外延，掺杂,电子束光刻等产品及加工服务(请找小编领取我们晶圆标品库存列表，为您的科学实验加速。

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德克萨斯州奥斯汀，2026年9月9日——La Luce Cristallina今日发布了其0.5微米（微米）硅基量子顺电锶钛酸绝缘体（QP-STOI）晶圆平台，使研究人员和国家实验室能够利用STO的低温量子顺电特性应用于下一代晶圆设备。STO层建在厚厚的二氧化硅（SiO₂）层上，体积状且高度绝缘，厚度是用于硅表面外延生长的传统STO缓冲层的100倍，其高度绝缘性使组织能够利用STO在低温温度下极高的电压可调介电行为。

在低温下，STO进入量子顺电态，其介电特性对施加的电场具有高度响应性。这种增强的可调性使研究人员能够精确控制电气行为，支持量子比特读出的参数放大器、可调微波元件以及未来的电光元件等应用。该平台还具备可调压电特性，为未来电控执行器、精密传感器及其他先进机电器件的研究奠定基础。

La Luce Cristallina的STO晶圆平台兼容CMOS和晶圆晶圆，支持整合到成熟的半导体制造流程中。该解决方案目前提供2英寸晶圆尺寸，预计明年初扩展至200毫米。此次启动正值各国政府和研究机构加速对量子和低温技术的投资之际。美国商务部最近宣布，计划在九家量子公司投资超过20亿美元，以加速国内量子制造。此外，NIST新建了量子制造工程中心，推动可扩展量子元件和制造技术的发展。

La Luce Cristallina首席执行官Alex Demkov表示：“我们的新型钛酸锶晶圆为开发量子和低温器件的研究人员提供了一个高度可调的材料平台，有助于支持新兴应用场景的市场兴趣增长。”“通过将量子顺电行为与代工兼容制造结合，我们使研究人员和器件开发者更容易探索量子传感、量子比特读出及相关应用的新架构。”