《用于功率器件中GaN外延生长的111取向SOI硅片 - GaN-SOI》
我们公司已经成功开发了用于射频GaN外延生长的111取向SOI硅片。
《在功率GaN器件中使用111取向SOI基片进行GaN外延生长的优势》
“将多个GaN功率器件集成到单个芯片上，显著减少了功率回路的尺寸，消除了互连寄生效应，并简化了组装过程。在横向GaN-on-Si工艺中，将多个功率器件放置在单个芯片上是非常直接的。然而，当GaN器件在高源-基片电压下工作时，背栅效应和阈值电压的变化可能导致电流分布不均，从而降低效率。为了完全隔离同一基片上的器件，GaN-on-SOI技术是消除背栅效应和减少寄生电容的关键。”
“GaN-on-Si中的功率器件”在基片上的单片集成受限于器件之间的串扰和由基片接触引起的“背栅效应”。抑制串扰和背栅效应的一种解决方案是使用SOI（绝缘体上硅）基片，并结合沟槽隔离。GaN-on-Si器件表现出“背栅效应”，即硅基片会影响GaN-on-Si结构中通道的电气特性。此效应可能导致阈值电压不稳定和漏电流增加，从而影响器件的性能和可靠性。另一种解决方案是使用具有多晶硅AlN核心的工程化基片，商业化名称为QST®（QROMIS基片技术）。QST®基片的相对较高价格阻碍了其广泛采用。最近，GaN-on-Sapphire引起了广泛关注，它也可以作为GaN单片集成电路的基片。GaN-on-Sapphire的一个缺点是蓝宝石基片的热导率较低。因此，SOI基片在单片电路中提供了低成本与高性能之间的良好平衡。
关于我们：
OMeda成立于2021年，由3名在微纳加工行业拥有超过7年经验的工艺，项目人员创立。目前拥有员工15人，在微纳加工（涂层、光刻、蚀刻、双光子印刷、键合）等领域拥有丰富的经验。 同时，我们支持4/6/8英寸晶圆的纳米加工。 部分设备和工艺支持12英寸晶圆工艺。针对MEMS传感器、柔性传感器、微流控、微纳光学等行业。
中国（上海）自由贸易试验区临港新片区业盛路188号450室 电话：+86 188 233 40140 邮箱：jing.chen@omeda-optics.com
来源：OMeda
OMeda（上海奥麦达微）成立于2021年，由3名在微纳加工行业拥有超过7年经验的工艺，项目人员创立。在微纳加工(镀膜、光刻、蚀刻、双光子打印、键合，键合)等工艺拥有丰富的经验。 同时，我们支持4/6/8英寸晶圆的纳米加工。部分设备和工艺支持12英寸晶圆工艺。针对MEMS传感器、柔性传感器、微流控、微纳光学，激光器，光子集成电路，Micro LED,功率器件等行业。
