用于MEMS的腔体SOI晶圆（研磨 + CMP + 超精细抛光工艺）
该腔体晶圆是集成了纳米制造（光刻、深硅刻蚀、键合）工艺与超精确抛光和研磨工艺的产品。
我公司可以提供腔体SOI晶圆。为了确保顶部器件层的质量，我们保持最大腔体与器件层厚度比为45:1。此外，我们的优势在于能够生产超高精度的腔体。其他领先的腔体SOI公司使用接触式光刻机实现的最小线宽为2µm，而我公司采用步进光刻技术来创建支撑晶圆图案，结合刻蚀工艺，我们能够生产最小线宽为180nm的腔体。
此外，我们将材料从硅扩展到铌酸锂、钽酸锂和碳化硅。
超精细抛光工艺
我们采用气体簇离子束抛光工艺来修整器件层，以获得超均匀的器件层。
普通腔体SOI晶圆器件层变化：±1µm
超均匀SOI晶圆器件层变化：±100nm
关于我们：
OMeda成立于2021年，由3名在微纳加工行业拥有超过7年经验的工艺，项目人员创立。目前拥有员工15人，在微纳加工（涂层、光刻、蚀刻、双光子印刷、键合）等领域拥有丰富的经验。 同时，我们支持4/6/8英寸晶圆的纳米加工。 部分设备和工艺支持12英寸晶圆工艺。针对MEMS传感器、柔性传感器、微流控、微纳光学等行业。
中国（上海）自由贸易试验区临港新片区业盛路188号450室 电话：+86 188 233 40140 邮箱：jing.chen@omeda-optics.com
来源：OMeda
OMeda（上海奥麦达微）成立于2021年，由3名在微纳加工行业拥有超过7年经验的工艺，项目人员创立。在微纳加工(镀膜、光刻、蚀刻、双光子打印、键合，键合)等工艺拥有丰富的经验。 同时，我们支持4/6/8英寸晶圆的纳米加工。部分设备和工艺支持12英寸晶圆工艺。针对MEMS传感器、柔性传感器、微流控、微纳光学，激光器，光子集成电路，Micro LED,功率器件等行业。
