意大利米兰,2025 年 7 月 25 日 – 领先的玻璃光子芯片生产商 Ephos (www.ephos.io) 今天宣布,根据 《欧盟芯片法 》,它已获得意大利企业和制造部的 4150 万欧元拨款, 用于在意大利建设新的制造工厂。该项目总投资额为 1.049 亿欧元,将建立世界上第一个在玻璃上加工先进光学材料的设施。
该设施名为 Fab-2,将使 Ephos 能够扩大其首创在玻璃基板上制造超低损耗、快速开关光子芯片的工艺的规模。这些芯片是人工智能数据中心、高性能计算 (HPC) 和量子计算机的关键构建块,满足了对先进芯片技术快速增长的需求。
“随着人工智能重塑我们的经济和地缘政治格局,先进芯片制造已成为一项重要的战略资产,”Ephos 联合创始人兼首席执行官 Andrea Rocchetto 说。“通过 Fab-2,我们正在利用欧洲杰出的工程人才来提供为 AI 基础设施提供动力的基本组件。”
Ephos 是第一家在《欧洲芯片法案》框架下获得资助的初创公司。在获得这笔极具竞争力的资金后,Ephos 加入了一些全球最大的半导体制造商:台积电、英飞凌和意法半导体。
Fab-2 的发布是在 Ephos 在米兰开设第一家研发和制造工厂 Fab-1 仅 10 个月后发布的。Fab-1 得到了欧盟和北约的支持,使 Ephos 能够为客户提供来自值得信赖、安全的供应链的先进光子芯片。
Ephos 为 AI 数据中心和量子计算机设计和制造玻璃上的可编程光子芯片。玻璃可实现强大、可扩展且经济高效的超低损耗光子解决方案
#划重点
飞秒激光直写玻璃三维光波导代工
硅光氮化硅芯片和光纤耦合
多芯光纤和波导耦合
低损耗光波导平台
更多应用
#0:10mm-10mmsto衬底-bto薄膜(300nm厚度可定制)
#1:sto外延片
2寸 外延 sto 2-20nm(可定制)- 2um Sio2(可定制) -Si(可定制)
#2:a向 bto外延片
2寸 外延 a-向 bto(300nm或者500nm,或者定制)-sto 8nm(可定制)- 2um Sio2(可定制) -Si(可定制)
#3:C向 bto外延片
2寸 外延 c-向 bto(150nm或者300nm,或者定制)-sto 8nm(可定制)- 2um Sio2(可定制) -Si(可定制)
#离子注入铒代工
#6寸DUV步进式光刻代工,最小线宽180nm,超高性价比,可以只曝光
#快速氮化硅硅光铌酸锂流片 #高性价比 #低成本
#提供8寸 8umSiO2热氧片,6寸15um热氧片 10um热氧片 8寸10um热氧片
室温低损伤@GCIB抛光代工@束斑小(4-5mm)更均匀
#降低硬质材料化合物晶圆等绝大多数材料的表面粗糙度,比如金刚石 ,磷化铟,砷化镓,碳化硅
#提高复合衬底和镀膜膜层的器件层膜厚均匀性,
比如SOI LNOI LTOI SICOI 等 SMARTCUT得到的薄膜
或者镀膜所得到的膜层 ,比如镀了一层氮化硅,但是由于是cvd镀膜所得到的,表面的膜厚精度很差,粗糙度很差,可以通过粗糙度初步降低粗糙度,然后通过GCIB团簇离子束抛光来修整整面的膜厚均匀性 到0.5%以下举例:
未经过Trimming 工艺的 6寸LN/LTOI晶圆 数据:
Range:100-200A
经过Trimming 工艺的 6寸LN/LTOI晶圆 数据:
Range:60A以内
SOI晶圆:--220nm薄膜/ 3um厚膜-3umSIO2-675umALOOI晶圆;--氧化铝薄膜晶圆,键合工艺和镀膜工艺
TAOOI晶圆--氧化钽薄膜晶圆,镀膜工艺
SINOI晶圆--超低损耗氮化硅薄膜晶圆,210nm-300nm-400nm-800nm
SICOI晶圆;新型量子光学平台500nm-700nm-1um
6寸LTOI晶圆批量供应;铌酸锂的有力的竞争对手,薄膜钽酸锂晶300600
8寸LNOI晶圆;8寸LNOI助力更大规模薄膜铌酸锂产品量产
LN/LT-SOI/Si/SIN W2W&D2W异质集成
流片: 6寸 氮化硅 铌酸锂 硅光 超高性价比流片, 1个BLOCK的价格买一整片晶圆
划重点--全国产-超高性价比-6 寸硅光-氮化硅-铌酸锂流片白皮书
我们为客户提供晶圆(硅晶圆,玻璃晶圆,SOI晶圆,GaAs,蓝宝石,碳化硅(导电,非绝缘),Ga2O3,金刚石,GaN(外延片/衬底)),镀膜(PVD,cvd,Ald,PLD)和材料(Au Cu Ag Pt Al Cr Ti Ni Sio2 Tio2 Ti3O5,Ta2O5,ZrO2,TiN,ALN,ZnO,HfO2。。更多材料),键合(石英石英键合,蓝宝石蓝宝石键合)光刻,高精度掩模版,外延,掺杂,电子束光刻等产品及加工服务(请找小编领取我们晶圆标品库存列表,为您的科学实验加速。
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