意大利米兰，2025 年 7 月 25 日 – 领先的玻璃光子芯片生产商 Ephos （www.ephos.io） 今天宣布，根据 《欧盟芯片法 》，它已获得意大利企业和制造部的 4150 万欧元拨款， 用于在意大利建设新的制造工厂。该项目总投资额为 1.049 亿欧元，将建立世界上第一个在玻璃上加工先进光学材料的设施。

该设施名为 Fab-2，将使 Ephos 能够扩大其首创在玻璃基板上制造超低损耗、快速开关光子芯片的工艺的规模。这些芯片是人工智能数据中心、高性能计算 （HPC） 和量子计算机的关键构建块，满足了对先进芯片技术快速增长的需求。

“随着人工智能重塑我们的经济和地缘政治格局，先进芯片制造已成为一项重要的战略资产，”Ephos 联合创始人兼首席执行官 Andrea Rocchetto 说。“通过 Fab-2，我们正在利用欧洲杰出的工程人才来提供为 AI 基础设施提供动力的基本组件。”

Ephos 是第一家在《欧洲芯片法案》框架下获得资助的初创公司。在获得这笔极具竞争力的资金后，Ephos 加入了一些全球最大的半导体制造商：台积电、英飞凌和意法半导体。

Fab-2 的发布是在 Ephos 在米兰开设第一家研发和制造工厂 Fab-1 仅 10 个月后发布的。Fab-1 得到了欧盟和北约的支持，使 Ephos 能够为客户提供来自值得信赖、安全的供应链的先进光子芯片。

Ephos 为 AI 数据中心和量子计算机设计和制造玻璃上的可编程光子芯片。玻璃可实现强大、可扩展且经济高效的超低损耗光子解决方案

#划重点 

飞秒激光直写玻璃三维光波导代工

硅光氮化硅芯片和光纤耦合

多芯光纤和波导耦合

低损耗光波导平台

更多应用

#0：10mm-10mmsto衬底-bto薄膜（300nm厚度可定制）

#1：sto外延片

2寸 外延 sto 2-20nm(可定制)- 2um Sio2(可定制) -Si(可定制)

#2：a向 bto外延片

2寸 外延 a-向 bto（300nm或者500nm，或者定制）-sto 8nm(可定制)- 2um Sio2(可定制) -Si(可定制)

#3:C向 bto外延片

2寸 外延 c-向 bto（150nm或者300nm，或者定制）-sto 8nm(可定制)- 2um Sio2(可定制) -Si(可定制)

#离子注入铒代工

#6寸DUV步进式光刻代工，最小线宽180nm，超高性价比，可以只曝光

#快速氮化硅硅光铌酸锂流片 #高性价比 #低成本

#提供8寸 8umSiO2热氧片，6寸15um热氧片 10um热氧片 8寸10um热氧片

室温低损伤@GCIB抛光代工@束斑小（4-5mm）更均匀

#降低硬质材料化合物晶圆等绝大多数材料的表面粗糙度，比如金刚石 ，磷化铟，砷化镓，碳化硅

#提高复合衬底和镀膜膜层的器件层膜厚均匀性，

比如SOI LNOI  LTOI SICOI 等 SMARTCUT得到的薄膜 

或者镀膜所得到的膜层 ，比如镀了一层氮化硅，但是由于是cvd镀膜所得到的，表面的膜厚精度很差，粗糙度很差，可以通过粗糙度初步降低粗糙度，然后通过GCIB团簇离子束抛光来修整整面的膜厚均匀性 到0.5%以下举例：

未经过Trimming 工艺的 6寸LN/LTOI晶圆 数据：

Range:100-200A

经过Trimming 工艺的 6寸LN/LTOI晶圆 数据：

Range:60A以内

ALOOI晶圆；--氧化铝薄膜晶圆，键合工艺和镀膜工艺

TAOOI晶圆--氧化钽薄膜晶圆，镀膜工艺

SINOI晶圆--超低损耗氮化硅薄膜晶圆，210nm-300nm-400nm-800nm

SICOI晶圆；新型量子光学平台500nm-700nm-1um

6寸LTOI晶圆批量供应；铌酸锂的有力的竞争对手，薄膜钽酸锂晶300600

8寸LNOI晶圆;8寸LNOI助力更大规模薄膜铌酸锂产品量产

LN/LT-SOI/Si/SIN  W2W&D2W异质集成

流片： 6寸 氮化硅 铌酸锂 硅光 超高性价比流片， 1个BLOCK的价格买一整片晶圆

划重点--全国产-超高性价比-6 寸硅光-氮化硅-铌酸锂流片白皮书

我们为客户提供晶圆（硅晶圆，玻璃晶圆，SOI晶圆，GaAs，蓝宝石，碳化硅（导电，非绝缘），Ga2O3,金刚石，GaN（外延片/衬底）），镀膜（PVD,cvd,Ald，PLD）和材料（Au Cu Ag Pt Al Cr Ti Ni Sio2 Tio2 Ti3O5，Ta2O5,ZrO2,TiN，ALN,ZnO,HfO2。。更多材料），键合（石英石英键合，蓝宝石蓝宝石键合）光刻，高精度掩模版，外延，掺杂,电子束光刻等产品及加工服务(请找小编领取我们晶圆标品库存列表，为您的科学实验加速。

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