AlN及不同Sc含量掺杂AlScN
可进行不同钪含量的AlN基压电薄膜制备： AlN/AlSc9.6%N/AlSc20%N/AlSc30%N
薄膜半高宽~1.5°； 表面粗糙度＜3 nm； 膜厚极差非均匀性(8寸)＜5%； 薄膜平均应力(1 µm)＜200MPa。
2.AlN及AlScN薄膜刻蚀
工艺特色：高角度刻蚀工艺；片内极差非均匀性＜3%。
3.高深宽比深硅刻蚀工艺 工艺特色：
小线宽； 高深宽比； 高垂直度； 低侧壁粗糙度; 高刻蚀均匀性(片内/片间极差非均匀性＜3%)。
关于我们：
OMeda成立于2021年，由3名在微纳加工行业拥有超过7年经验的工艺，项目人员创立。目前拥有员工15人，在微纳加工（涂层、光刻、蚀刻、双光子印刷、键合）等领域拥有丰富的经验。 同时，我们支持4/6/8英寸晶圆的纳米加工。 部分设备和工艺支持12英寸晶圆工艺。针对MEMS传感器、柔性传感器、微流控、微纳光学等行业。
中国（上海）自由贸易试验区临港新片区业盛路188号450室 电话：+86 188 233 40140 邮箱：jing.chen@omeda-optics.com
来源：OMeda
OMeda（上海奥麦达微）成立于2021年，由3名在微纳加工行业拥有超过7年经验的工艺，项目人员创立。在微纳加工(镀膜、光刻、蚀刻、双光子打印、键合，键合)等工艺拥有丰富的经验。 同时，我们支持4/6/8英寸晶圆的纳米加工。部分设备和工艺支持12英寸晶圆工艺。针对MEMS传感器、柔性传感器、微流控、微纳光学，激光器，光子集成电路，Micro LED,功率器件等行业。
