#氧化铝原子层沉积 

业务流程（必读）：

尊敬的客户，联系销售后，请准确提供以下信息，方便技术团队判定是否可以生产，节约沟通成本，请复制下方信息，填写完成后发给销售，感谢您的理解与支持。

1.衬底长宽厚及材质：

2.表面膜层材质和厚度（如果衬底表面已经有膜层，）：

3.需要进行原子层衬底的膜层材质及厚度：

4.表面是否有结构及胶，如果有结构请提供版图及结构深度，如果有胶请告诉胶水型号及厚度：

产能说明：

目前设备配置为1台8寸Benq TFS2000，余下为自制设备7台，支持2-12寸原子层镀膜沉积，充沛的产能可以满足企业客户大批量制造加工需求。

加工能力：

可沉积薄膜：

半导体应用：

氧化物：氧化硅（SIO2）氧化铝（Al2O3），氧化锆(ZrO2)，氧化铪(HfO2)，氧化钛(TiO2)，氧化镓(Ga2O3)。

氮化物：氮化铝(AlN)，氮化钛(TiN)，

光学应用：增透膜

支持尺寸：2-12寸（部分材料支持12寸工艺）

备注：对于ALD工艺样品必须彻底清洗干净，需耐温，无毒，无易分解、无易扩散(如Cu)，无粉末，不能用mark笔标记样品，不能有高温胶带!

我们为客户提供晶圆（硅晶圆，玻璃晶圆，SOI晶圆，GaAs，蓝宝石，碳化硅（导电，非绝缘），Ga2O3,金刚石，GaN（外延片/衬底）），镀膜（PVD,cvd,Ald，PLD）和材料（Au Cu Ag Pt Al Cr Ti Ni Sio2 Tio2 Ti3O5，Ta2O5,ZrO2,TiN，ALN,ZnO,HfO2。。更多材料），键合（石英石英键合，蓝宝石蓝宝石键合）光刻，高精度掩模版，外延,46寸180nmDUV光刻，电子束光刻等产品及加工服务(请找小编领取我们晶圆标品库存列表，为您的科学实验加速。

请联系小编免费获取原文

案例展示：

8 inch ALD 30nm Al2O3 (实测膜厚均匀性+-1%)

设备展示：

设备主要为Beneq TFS2000设备，同时配有部分自制设备

基本原理：

原子层沉积（ALD）是一种基于连续使用气相化学过程的薄膜沉积技术；它是化学气相沉积的一个子类。大多数 ALD 反应使用两种称为前体（也称为“反应物”）的化学物质。这些前体以连续、自限的方式与材料表面一次发生一个反应。通过反复暴露于单独的前体，薄膜缓慢沉积。 ALD 是制造半导体器件的关键工艺，也是合成纳米材料工具集的一部分。

优点：

A--ALD能够逐层沉积薄膜，从而对薄膜厚度进行出色的控制。这种精度在半导体等应用中尤为重要，因为在半导体应用中，纳米级的变化会显著影响器件性能。

B--传统的沉积技术难以均匀地涂覆复杂的结构，导致薄膜不均匀。原子层沉积克服了这一挑战，即使在复杂的几何形状中也能确保共形覆盖，使其适用于微电子和微机电系统（MEMS）器件。

C--ALD的自限性反应使薄膜高度均匀，没有缺陷和厚度变化。这种均匀性对于薄膜晶体管和保护涂层等应用至关重要。

D--原子层沉积适用于各种材料，从氧化物和氮化物到金属和有机化合物。这种多功能性允许创建新颖的材料组合和功能结构。

E--ALD的共形性质延伸到纳米孔和纳米管等高纵横比结构，从而实现了能量存储和催化的创新。

与传统方法相比，ALD的受控工艺减少了材料浪费和能源消耗，符合可持续制造实践。

了解我们更多的薄膜沉积加工能力：