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硅锗外延片 GeOI晶圆应变硅锗外延 sGeoi晶圆

2026/06/27

硅锗外延片 GeOI晶圆应变硅锗外延 sGeoi晶圆

一、绝缘体上锗晶圆 SixGe1-x-On-Insulator（0.25≤x≤1)

图：产品示意图

该产品可接受定制，Si 和 Ge 浓度可调，出货周期 1~4 周。

二：锗硅外延晶圆（SixGe1-x EPI（0≤x≤1)）

图：产品示意图

该产品可接受定制，Si 和 Ge 浓度可调，出货周期 1~4 周。

sGe-OI 晶圆/锗硅外延晶圆凭借其高载流子迁移率、低功耗和应变工程兼容性，适用于多种高性能芯片类型，尤其适合：计算（AI/高性能逻辑）、通信（5G/太赫兹射频）、光电融合（硅光芯片）、极端环境（高温/抗辐照）等前沿方向。

适用产品：

1. 高速逻辑芯片

应用场景：高性能计算（HPC）、服务器 CPU、AI 加速器

优势：
SiGe 的应变工程可显著提升电子迁移率（比传统 Si 快 2-3 倍），适合高速开关和低延迟逻辑电路。

埋氧层（BOX）减少寄生电容，降低动态功耗，提升能效比。代表器件：FinFET、纳米片（Nanosheet）等先进节点器件。

2. 射频（RF）与毫米波芯片

应用场景：5G/6G 通信、雷达、卫星通信

优势：

SiGe 的高频特性（截止频率和最大振荡频率可达数百GHz）适合毫米波功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）和开关。
sGe-OI 的绝缘衬底减少衬底耦合损耗，提高射频前端模块（如FEM）的线性度和效率。

代表器件：SiGe HBT（异质结双极晶体管）、RF CMOS。

3. 光电集成芯片

应用场景：光通信、硅基激光器、光电探测器

优势：

SiGe 的带隙可调（通过Ge 含量调节），适合近红外（NIR）光吸收，用于高速光电二极管和调制器。

与硅光子学工艺兼容，可实现单片集成（如光收发器中的激光器+调制器+探测器）。

4. 抗辐照芯片

应用场景：航天电子、核工业设备、卫星太阳能电池

优势：

锗元素抗辐照能力强。埋氧层隔离衬底，减少单粒子效应（SEE）和总剂量效应（TID），增强可靠性。

性能总结：

特性锗硅外延晶圆 sGe-OI 晶圆

载流子迁移率

高（通过应变优化）

更高（绝缘层减少寄生效应）

功耗

中等（受衬底漏电影

响）

极低（埋氧层抑制漏电流）

抗辐照能力

一般

强（绝缘层隔离衬底）

关于我们：

OMeda成立于2021年，由3名在微纳加工行业拥有超过7年经验的工艺，项目人员创立。目前拥有员工15人，在微纳加工（涂层、光刻、蚀刻、双光子印刷、键合）等领域拥有丰富的经验。同时，我们支持4/6/8英寸晶圆的纳米加工。部分设备和工艺支持12英寸晶圆工艺。针对MEMS传感器、柔性传感器、微流控、微纳光学等行业。

中国（上海）自由贸易试验区临港新片区业盛路188号450室电话：+86 188 233 40140 邮箱：jing.chen@omeda-optics.com

来源：OMeda

关于我们

OMeda（上海奥麦达微）成立于2021年，由3名在微纳加工行业拥有超过7年经验的工艺，项目人员创立。在微纳加工(镀膜、光刻、蚀刻、双光子打印、键合，键合)等工艺拥有丰富的经验。同时，我们支持4/6/8英寸晶圆的纳米加工。部分设备和工艺支持12英寸晶圆工艺。针对MEMS传感器、柔性传感器、微流控、微纳光学，激光器，光子集成电路，Micro LED,功率器件等行业。

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