#12寸大翘曲晶圆 #翘曲晶圆 #马鞍晶圆 #碗型晶圆 #HBM #先进封装 #混合键合本文适用于 做 先进封装和3d存储的工程师看 ，本文的核心 就是通过区域性的保留涂覆树脂材料来降低晶圆的翘曲度 

划重点#12寸大翘曲晶圆  #翘曲晶圆 

12寸翘曲晶圆 库存 

Wrap值列表--马鞍形/碗型，，都会做，轻松搞定  ：

3mm--2pcs

2mm-6pcs

1mm-5pcs 501um545um550um584um599um626um635um638um643um652um681um705um708um712um719um724um729um730um736um762um537um540um553um557um582um597um612um

翘曲问题在半导体行业越来越严重，尤其是做内存的厂家和先进封装的厂家，这个问题影响器件的性能和可靠性 ，翘曲晶圆分 碗型，马鞍形，马鞍形的比较难调控 晶圆翘曲矫正技术

小翘曲高精度校正小于300微米的高阶翘曲校正1- 通常旨在最小化IPD以改善光刻重叠度:

-利用无机应变薄膜(例如SiN)

大翘曲度校正

-400-1000+微米翘曲校正-在内存与逻辑应用中识别的使用场景

无机应力薄膜在高幅度下会分层/开裂

-哪种工艺可以纠正1000+微米的翘曲?

Spin-On应力（SoS）是一种基于轨道的有机薄膜，能够进行毫米级翘曲校正。

这种材料在设计上本就具有感光特性，因此无需借助辅助胶片即可直接进行图案化。

翘曲现象是在高温下通过未暴露区域的交联作用而引起的

SoS工艺旋钮-校正曝光图像

SoS工艺利用直接写入系统来针对单个晶圆翘曲特征进行校准。

曝光图像是控制最终晶圆形状的主要工艺参数。

曝光图像的小幅变化会对残余应力产生重大影响。

SoS工艺旋钮:通过薄膜厚度控制磁性

薄膜厚度是控制翘曲程度的主要参数。

翘曲程度随膜厚呈线性关系，适用于全局翘曲和鞍形翘曲。

SoS薄膜厚度和均匀性由标准轨道配方参数控制。

旋转式应力全球翘曲校正

接收到的 400 um 翘曲。

利用单层 SoS 胶片实现 92% 的矫正效果

高粘度 SoS 配方可能会导致 1000+ μm 的翘曲现象

旋转式应力鞍形翘曲校正

已证实可对马鞍形翘曲进行修正，翘曲幅度范围在 180 至 600 微米之间。

目标形状控制可减少 X 轴和 Y 轴方向上的翘曲现象。

通过优化 SoS（应力映射）技术，有可能进一步降低残余应力。

毫米级稳定弓形构造

SoS多层涂层薄膜堆叠工艺可生成厚度超过 2000 微米的鞍形结构，该结构由纯硅材料制成。

经观察，该涂层在固化后 6 小时内保持稳定，没有出现开裂现像

摘要与结论

TEL公司已开发出一种旋贴式应力膜，专门用于高幅度翘曲修正。

SoS平台已被证明能够有效修正晶圆上的全球特征和鞍形特征。对 400 μm 全球特征的修正率达 92%

600 um鞍形特征校正率达 66%

作为一种基于轨道的工艺，SoS是一种高吞吐量工艺，拥有众多参数，从而能够实现对形状和规模的精细控制。

毫米级翘曲现象已得到证实