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硅色心（G色心）：--相关文献工艺流程
总结：SOI晶圆上注入 C12，然后RTP退火，然后电子束光刻刻蚀
为了在二极管中形成G中心，我们首先用碳离子植入硅，然后在1000°C下进行快速热退火以修复晶格损伤。然而，与一些先前的工作（17-19,30）不同，我们在此阶段没有观察到G中心。与其他研究的发现一致，认为质子辐照有助于间隙碳的掺入形成G中心（12,31），我们研究了多种氢化方法以完成G中心的形成（参见补充说明7-8）。最终，选择了掩膜离子植入氢的方法，将氢选择性地引入设备-发射体集成区域，以在电场最强的目标深度形成明亮的局部集合，同时对电性能几乎没有降解。与氢在G中心形成和稳定中的作用一致，我们发现集合发射只局部化在植入掩膜区域。此外，我们发现G中心在200°C以上不稳定（补充信息），这与之前的工作一致（32），因此需要将氢掺入作为最终制造步骤。为了确保二极管制造与G中心生产兼容，两种制造过程的步骤被交替进行。
引用自：
文章名：Electrical manipulation of telecom color centers in silicon作者：Aaron M. Day 1,4, Madison Sutula 2,4, Jonathan R. Dietz 1, Alexander Raun1,Denis D. Sukachev3, Mihir K. Bhaskar3 & Evelyn L. Hu 1
单位：1、John A. Paulson School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University, Cambridge, MA 02138, USA.
硅色心（G色心）：--相关文献工艺流程
总结：SOI晶圆上注入 C12，然后RTP退火，然后电子束光刻刻蚀
制造过程从具有[100]取向的SOI晶圆开始。12C离子以36 keV能量和5 × 10¹³离子/cm²的注入剂量注入到220 nm的设备层中。随后，在1000 °C的氮气氛围中进行快速热退火（RTA）20秒，以修复晶体结构并形成G中心。
注入后，晶圆被送到Applied Nanotools进行工厂制造。使用JEOL JBX8100FS系统在100 kV下进行电子束（e-beam）光刻，图案化光子结构。设备层通过SF6-C4F8反应离子刻蚀（RIE）工艺进行刻蚀。通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）在300 °C下沉积2 μm厚的二氧化硅（SiO2）包层。
后处理在MIT.nano洁净室进行。通过在49% HF溶液中刻蚀包层和埋氧化硅，释放结构，刻蚀时间为80秒，结果形成约2 μm的下刻。芯片从HF溶液转移到水中，然后转移到异丙醇（IPA）中，在液体中进行。使用CO2进行临界点干燥（CPD）以防止设备塌陷，逐渐将IPA替换为液态CO2。液态CO2中的干燥过程防止了在蒸发过程中可能发生的相变，从而避免了可能导致悬浮结构塌陷的毛细力。电气接触垫由50 nm铬和200 nm金组成，通过电子束蒸发（Temescal FC2000）和阴影掩模图案化。阴影掩模由0.1 mm（4 mil）钢片制成，使用LPKF ProtoLaser U4激光切割机制作，掩模上的孔为50 μm，用于定义电气接触垫。掩模通过显微镜对准芯片，精度为几十微米（详见补充说明3），并在蒸发过程中大约100 μm高的距离保持在芯片上方。样品最终通过银胶粘接到PCB上，并使用铝线焊接器进行连接。
引用自：
文章名：Spectral tuning and nanoscale localization of single color centers in silicon via controllable strain
作者：Alessandro Buzzi 1,4 , Camille Papon1,4 , Matteo Pirro2,3, Odiel Hooybergs1,Hamza Raniwala1, Valeria Saggio 1, Carlos Errando-Herranz 2,3 &Dirk Englund 1
单位：MIT
硅色心（G色心）：--相关文献工艺流程
总结：SOI晶圆上注入 C12，然后RTP退火，然后电子束光刻刻蚀
样品描述
研究中的设备包括一个背景掺p型硅基光子集成电路（SOI）波导，底部包覆层为2 μm厚的二氧化硅，位于硅基底上。波导的横截面几何形状如图1f所示，呈矩形，宽度为400 nm，高度为220 nm。波导从切割的芯片表面开始并结束，沿63.5 μm半径的180°弯曲。
样品制造
我们采用了一个跟随文献【8】的制造过程来生成硅G中心。样品以商业（SOITEC）未包覆的硅基光子集成电路（220 nm Si 在2000 nm SiO2上）晶圆为起点。晶圆随后被切割成1 cm²的块，采用12C离子植入，剂量为1 × 10¹³离子/cm²，能量为36 keV，入射角度为7°，然后在1000°C下闪烁退火20秒。样品接着进行了电子束图案化，并在一个代工厂（Applied Nanotools）中进行蚀刻。电子束图案化采用JEOL JBX8100FS设备，工作电压为100 kV，使用正性光刻胶。硅的蚀刻使用SF6-C4F8混合气体的感应耦合等离子体反应离子蚀刻（ICP-RIE）进行，工艺经过优化以实现垂直侧壁蚀刻和低传播损耗。该工艺最终生成了具有SiO2底部包覆和空气作为顶层包覆的硅波导。为了便于光纤耦合，样品被切割穿过波导。
引用自：
文章名：Individually addressable and spectrally programmable artificial atoms in silicon photonics作者：Mihika Prabhu1,4 , Carlos Errando-Herranz 1,2,4 , Lorenzo De Santis 1,3,Ian Christen1, Changchen Chen1, Connor Gerlach 1 & Dirk Englund 1单位：
1、Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA.
2、University of Münster, Münster, Germany.
3、QuTech, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands.
硅色心（T色心）：--相关文献工艺流程
总结：SOI晶圆上注入 C12，然后RTP退火，然后注入H,然后RTP退火，然后电子束光刻刻蚀
我们在 1 cm × 1 cm 的芯片上制造了设备，芯片从 200 mm 的硅-绝缘体（SOI）晶圆（SEH America）上切割而来。220 nm 厚的漂浮区生长的设备层具有较高的电阻率（≥3000 Ω cm）和（100）方向。为了创建 T 中心，我们首先用 36 keV 的 12C 离子进行离子注入（平均深度 110 nm），剂量为 1 × 10^12 cm−2，注入角度为 7°。注入后，通过在氮气氛围下进行 900°C 的快速热退火 20 秒来修复注入造成的晶格损伤。然后，我们用 9 keV 的氢离子进行注入（平均深度 110 nm），剂量为 7 × 10^12 cm−2，随后在 450°C 下在氮气氛围中退火 3 分钟，以形成 T 中心。设备制造和 T 中心创建过程的详细信息见扩展数据图 2。单模光子波导沿 〈110〉 方向设计，波导末端配有 Bragg 镜。制造后的设备，我们观察到每 60 μm 波导（400 nm 宽）平均有一个 T 中心，T 中心的浓度为 0.004 ppb。在早期阶段的测量中，我们研究了具有较高碳注入密度（1 × 10^13 cm−2）的芯片。在相同的氢注入密度下，我们测量到每 0.2 μm 波导（400 nm 宽）有一个 T 中心，对应的 T 中心浓度为 0.7 ppb。
引用自：
作者：Xueyue Zhang ,Lukasz Komza,Niccolo Fiasch,Yihuang Xiong,Yiyang Zhi,Scott Dhuey,Adam Schwartzberg,Thomas Schenkel,Geoffroy Hautie,Zi-Huai Zhang,Alp Sipahigil
单位：加州伯克利
