上海奥麦达微提供碳化硅光刻+刻蚀加工 ，针对现在市场对
*碳化硅功率器件
*碳化硅衍射光波导
*碳化硅光子集成线路
*碳化硅微流道
小线宽碳化硅浅刻蚀
目前碳化硅用于光学类的需求主要为百nm级别刻蚀，结合DUV和电子束光刻和刻蚀工艺，我们可以进行小线宽碳化硅的刻蚀
最小线宽150nm,刻蚀深宽比 5:1
大线宽碳化硅深刻蚀
刻蚀工艺参数 刻蚀方式：反应离子刻蚀（RIE）、深反应离子刻蚀（DRIE）、感应耦合等离子体刻蚀 • （ICP）
• 最大刻蚀深度：>150 μm • 刻蚀速率：
• 大线宽 (>200 μm)：>2 μm/min
• 小线宽 (50-100 μm)：0.5-1.5 μm/min
• 刻蚀均匀性：±5%（100 mm 直径范围）
• 侧壁角度：89°-91°
选择性：SiC/掩膜层（SiO₂、PR 等）>10:1
• 粗糙度：<10 nm（侧壁）
2.2 SEM 分析 根据 SEM 图像（见下文），我们总结了刻蚀能力如下：
• (a)-(b) 大线宽刻蚀 (350 μm, 400 μm)
• 侧壁角度接近 90°，刻蚀深度均匀。
• 刻蚀速率较快，表面形貌良好。
• (c) 小线宽刻蚀 (75 μm)
• 刻蚀深度相较大线宽有所降低。
• 侧壁依然保持良好垂直度，但刻蚀速率有所下降。
• (d) 阵列结构刻蚀 (250-500 μm)
• 形貌、垂直度和蚀口均得到改善。
• 适用于传感器、微流控等微纳结构制造。
3. 碳化硅工艺流程 3.1 典型 MEMS 加工流程 1. 基片准备 • 可支持 4 寸 SiC、Si/SiC、SOI 等基片类型。 2. 光刻 • 分辨率：最小线宽<1 μm • 掩膜对准精度：±0.5 μm 3. 刻蚀 • 采用高精度 ICP-RIE 技术，适应不同图形要求。 4. 清洗 • 采用 RCA、Piranha、O₂等离子体处理等清洗方法，去除残留污染。 5. 薄膜沉积（可选） • PECVD、LPCVD、ALD 等方式沉积介质层或保护层。 6. 封装测试（可选） • 可提供键合、切割、封装和电学测试等服务。
关于我们：
OMeda成立于2021年，由3名在微纳加工行业拥有超过7年经验的工艺，项目人员创立。目前拥有员工15人，在微纳加工（涂层、光刻、蚀刻、双光子印刷、键合）等领域拥有丰富的经验。 同时，我们支持4/6/8英寸晶圆的纳米加工。 部分设备和工艺支持12英寸晶圆工艺。针对MEMS传感器、柔性传感器、微流控、微纳光学等行业。
中国（上海）自由贸易试验区临港新片区业盛路188号450室 电话：+86 188 233 40140 邮箱：jing.chen@omeda-optics.com
来源：OMeda
OMeda（上海奥麦达微）成立于2021年，由3名在微纳加工行业拥有超过7年经验的工艺，项目人员创立。在微纳加工(镀膜、光刻、蚀刻、双光子打印、键合，键合)等工艺拥有丰富的经验。 同时，我们支持4/6/8英寸晶圆的纳米加工。部分设备和工艺支持12英寸晶圆工艺。针对MEMS传感器、柔性传感器、微流控、微纳光学，激光器，光子集成电路，Micro LED,功率器件等行业。
