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LTOI薄膜钽酸锂晶圆--钽酸锂中超宽带集成电光频率梳(EPFL)

基于克尔参数振荡的集成频率梳生成器已导致芯片级、吉赫兹间隔的频率梳,具有广泛的新应用,涵盖超大规模通信、低噪声微波合成、光探测与测距以及天文光谱仪标定。近期在铌酸锂(LiNbO3)光子集成电路(PICs)方面的进展,已实现了芯片级电光(EO)频率梳,提供了精确的梳线定位和简单的操作,无需依赖耗散性克尔孤子形成。然而,当前的集成电光频率梳由于需要大量微波功率来驱动非共振电容电极,以及LiNbO3的强内在双折射,面临有限的光谱覆盖问题。在这里,我们通过集成的三重共振架构克服了这两个挑战,将单片微波集成电路与基于新兴薄膜钽酸锂(LiTaO3)的光子集成电路(PICs)相结合。通过共振增强的电光相互作用和减少的LiTaO3双折射,我们实现了四倍的梳跨度扩展和相较于传统非共振微波设计的16倍功率降低。在混合集成激光二极管的驱动下,频率梳跨度超过450 nm(超过60 THz),具有超过2000条线,并且生成器适配于紧凑的1 cm²占地面积。我们还观察到,强电光耦合导致频率梳存在范围增大,接近光学微共振器的完整自由光谱范围。超宽带频率梳生成器结合去调谐无关操作,能够推动芯片级光谱测量和超低噪声毫米波合成,并解锁跨八度的电光频率梳。微波与光子共设计的方法可以扩展到广泛的集成电光应用。

划重点--销售晶圆和加工

ALOOI晶圆--氧化铝薄膜晶圆键合工艺和镀膜工艺

TAOOI晶圆--氧化钽薄膜晶圆,镀膜工艺

SINOI晶圆;--超低损耗氮化硅薄膜晶圆

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6寸LTOI晶圆批量供应;铌酸锂的有力的竞争对手,薄膜钽酸锂晶圆

8寸LNOI晶圆;8寸LNOI助力更大规模薄膜铌酸锂产品量产

LN/LT-SOI/Si/SIN  W2W&D2W异质集成

EBL和6寸 150nmDUV加工微纳结构

我们为客户提供晶圆(硅晶圆,玻璃晶圆,SOI晶圆,GaAs,蓝宝石,碳化硅(导电,非绝缘),Ga2O3,金刚石,GaN(外延片/衬底)),镀膜方式(PVD,cvd,Ald,PLD)和材料(Au Cu Ag Pt Al Cr Ti Ni Sio2 Tio2 Ti3O5,Ta2O5,ZrO2,TiN,ALN镀膜刻蚀,ZnO,HfO2。al2o3。更多材料),键合(石英石英键合,蓝宝石蓝宝石键合)光刻,高精度掩模版,外延,掺杂,电子束直写等产品及加工服务(请找小编领取我们晶圆标品库存列表,为您的科学实验加速。

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利用超低损耗和可在晶圆级制造的光子集成电路(PICs)的微共振器光学频率梳——特别是基于可在代工厂获得的氮化硅的频率梳——在推动其基于光纤的实验室同行发展到芯片级系统级应用方面起到了关键作用。这些频率梳的多功能性已经在超大规模数据通信、并行光探测与测距、类脑计算、超低噪声微波合成、宽带光谱学和天文光谱仪标定中得到了验证。薄膜铌酸锂(LiNbO3)的可用性通过智能切割技术的应用,激发了具有较大Pockels系数的电光光子集成电路(EO PICs)的发展。这一平台重新点燃了人们对电光(EO)频率梳的兴趣。最近出现的集成电光频率梳与孤子微共振器相辅相成,展现了类似的紧凑性,同时提供了由微波调制频率设置的重复频率的固有稳定性。通过电光Pockels效应介导的相干边带生成不像克尔梳形成中的参数振荡那样具有最低光学阈值。此外,它不需要为耗散性克尔孤子启动所需的复杂激光调谐机制。基于耗散性克尔孤子的微共振器在较低重复频率下也会遭遇转换效率降低的问题,特别是在低于100 GHz的频率范围内(例如,雷达的X波段,5G的K波段)。

尽管具有这些优势,电光频率梳仍面临一些挑战。与孤子微共振器相比,已实现的频率梳跨度和梳线数目仍然有限,后者已实现跨八度操作,并生成超过2000条梳线。这是由于生成数千个边带所需的电光耦合率不足。因此,需要大量微波泵浦功率来达到所需的调制深度。因此,最先进的集成电光频率梳需要专门的微波电路和体积保护环形器,这些在集成到芯片级系统中时仍然具有挑战性。另一个限制来自LiNbO3的内在双折射效应,这限制了由于模式混合导致的频谱跨度。综合来看,这些因素使得最先进的集成电光频率梳的带宽受限于140 nm以下,并加剧了它们对微波功率的需求。

在此,我们通过将单片微波集成电路(MMICs)中的共面波导共振器引入光子集成电路,并实现集成的三重共振电光频率梳生成器,克服了这些挑战。在这种三重共振方案中,参与电光三波混频过程的三个场——两个相邻的光学模式和一个微波模式——都是共振的,从而增强了相互作用。微波光子共集成提供的紧密场约束使单光子电光耦合率相比于体积实现提高了超过300倍。结合具有比传统电光材料LiNbO3低17倍内在双折射的色散工程铌酸钽(LiTaO3)光子集成电路,并由混合集成半导体激光二极管驱动,该装置能够在消耗低于7 W的芯片功率下生成超过2000个边带(450 nm的跨度)。我们实现了一个80 nm的跨度,可与当前最先进的非共振集成电光频率梳生成器相媲美,只需13 dBm的微波功率(峰值电压小于1.5 Vp,可通过低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)或GaAs MMIC低相噪放大器轻松实现),相较于传统的非共振电极设计,功率降低了超过16倍。此外,在我们的三重共振方案中,增强的电光耦合率被证明导致了前所未有的去调谐无关操作,尽管使用的是微共振器,梳线存在范围超过了自由光谱范围(FSR)的90%,从而实现了无需光谱孔的频率梳线的全FSR扫描,确保了强大的交钥匙操作。

三重共振腔电光架构

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图 1 | 基于共同设计的单片微波和电光集成电路的频率梳发生器。
a,电光频率梳生成的原理及传统实现中的限制。光学模式由几乎恒定的 FSR(自由光谱范围)分隔。与 FSR 匹配的强微波泵浦频率 ωm 通过 Pockels 效应驱动级联频率转换过程。光学色散和模式混合可能会扭曲均匀间隔的光学共振,限制了远离光学输入模式的边带生成效率。
b,现有集成梳状谱生成器的非共振电极设计示意图。常用的 LiNbO3 会导致双折射模式混合,从而限制梳状谱的跨度。
c,本文提出的三重共振架构示意图。LiTaO3 中显著较弱的双折射抑制了模式混合。
d,具有色散工程化 LiTaO3 环形微谐振腔和单片微波集成 λ/2 共面波导谐振腔的混合集成梳状谱生成器示意图。增强的电光相互作用降低了宽带梳状谱生成对泵浦激光频率偏移的敏感性,使得能够通过混合集成的 DFB 激光二极管实现稳健的交钥匙操作。

我们利用共振增强的级联能量转移(如图1a所示)来实现高效的电光频率梳生成,这是生成光学频率梳的最早研究方法之一。如图1b所示,基于LiNbO3的最先进集成电光频率梳中使用了非共振的 lumped 电容电极设计(参考文献7,8)。由于与输入传输线的阻抗不匹配,施加的微波功率有很大一部分被反射并在微波源的内部阻抗中以热的形式耗散。这种功率传递效率低下要求使用射频放大器来扩展频率梳,而这一点至今已将最先进的集成电光频率梳的跨度限制在140 nm以下(参考文献7,8)。通过使用微波腔(图1c),可以克服阻抗不匹配问题,从而提高电光频率梳的生成效率。然而,这种方法目前仅在体积光学和微波腔中实现,而未在集成电光频率梳中应用。目前的设计,如图1d所示,通过将单片微波共振器与LiTaO3光子赛道共振器集成,全面解决了这两个挑战。这种通过体积微波腔实现的三重共振设备最初是为微波光子接收器而设计的(参考文献37,38),最近也被研究用于微波和光学领域之间的量子相干转换(参考文献35,36,39–41)。共面波导共振器的微波场深度亚波长约束还显著增强了电光耦合率(参考文献39)。通过考虑光学模式对(aμ,aμ+1)和微波模式(b)之间的三波混频过程,可以看到这种方法的优势,如腔电光中所描述的相互作用哈密顿量(参考文献35,42)。

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其中 ħ 表示约化普朗克常数,Δμ = ΔL − Dint(μ),这里的 Δμ 是由光学集成色散 Dint 和输入激光失谐 ΔL 共同贡献的总失谐,h.c. 是厄米共轭。与内部生成器性能密切相关,由于χ(2) 非线性引起的单光子电光耦合率为:

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模式体积 Vk 和空间场分布函数 Ψk,n(r) 的第 n 组件共同定义了真空电场组件 E ħ k n, , ( )r = / ω ϵ k k (2 V Ψk k ) n。这些组件与频率 ωk 和介电常数 ϵk 的模式 k 相关,其中 k = {μ, μ+1, m},μ 是光学纵向模式指数。微波和光子子系统的单片集成使模式体积减少并改善场重叠,从而显著提高了 g0。随后增强的电光相互作用内部于设备中减轻了对芯片微波功率的限制。在强大的、未被耗尽的微波泵浦下,光学模式之间的有效耦合速率为 g g = ⟨0 0 b g ⟩ = nm,其中 nm 是腔内的平均(微波)光子数。这个耦合速率 g 与梳状谱的跨度成正比(补充信息)。与非共振电极设计相比,通过集成 λ/2 共面波导(CPW)谐振腔,我们通过谐振腔的品质因数增强 nm,减少了产生给定梳状谱跨度所需的外部输入微波功率。

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图 2 | LiTaO3 和 LiNbO3 微型谐振腔的双折射模式混合效应和梳状谱跨度的比较。
a,b,模拟的基本准 TE 和 TM 模式的有效折射率,在 LiNbO3 (a) 和 LiTaO3 (b) 中不同波导方向的 2.0 μm × 600 nm 脊型波导和 100 nm 薄膜中。插图显示了 LiNbO3 (红色) 的强负双折射和 LiTaO3 (蓝色) 的弱正单轴晶体双折射。
c,d,LiNbO3 (c) 和 LiTaO3 (d) 的测量色散轮廓,具有相似的横截面。在 LiNbO3(80 GHz FSR,设备 ID: D101_03_F4_C4_R203)中,在 215 THz 以上的频率处发生强烈的模式混合,对应于光学电信 E 波段和 O 波段,在 2.0 μm 宽的波导中。相比之下,在 LiTaO3 的 2.0 μm 宽波导和色散工程化的 2.1 μm 宽波导中都没有观察到模式混合(2.0 μm 宽:80 GHz FSR,设备 ID: D101_LT_A2_F1_C4_R204;2.1 μm 宽:30 GHz FSR,设备 ID: D154_03_F5_C4_R106)。插图展示了制造的 LiNbO3 和 LiTaO3 光子波导的横截面扫描电子显微镜(SEM)图像。
e,f,基于测量色散的模拟梳状谱,适用于 2.0 μm 宽的 LiNbO3 (e) 和 LiTaO3 (f) 波导,具有有效耦合速率 g = 0.35ωFSR。div,除法。比例尺,1 μm。

电光梳的双折射跨度限制 除了增强电光相互作用之外,实现宽带梳状谱生成还涉及管理光学色散,以使 Δμ ≈ 0 在尽可能宽的波长范围内。我们首先研究了 LiNbO3 和 LiTaO3 环形谐振腔中可实现的色散。在基于 X-cut LiNbO3 的微型谐振腔中,横向电(TE)模式在波导弯曲处会经历从常规折射率(no = 2.21)到非常规折射率(ne = 2.14)的显著变化,而横向磁(TM)模式则主要经历 no。如图 2a 所示,基本的 TE00 模式因此与 TM00 模式交叉并混合,从而引入强烈的模内耦合。TE00 模式沿晶体 z 轴极化,以最大化 LiNbO3 和 LiTaO3 中 Pockels 系数 r33 的使用。千兆赫级的模式交叉导致微型谐振腔的纵向模式之间的频率间隔不均匀,打断了梳状谱向短波长的相干光谱扩展。对于我们的 600 纳米厚的波导设计,我们发现 LiNbO3 谐振谱在超过 207 THz(1450 纳米)的临界频率时发生失真。随着波导厚度的增加,临界频率会降低,这限制了 LiNbO3 环形谐振腔中宽带梳状谱生成所需的平坦色散跨度。如图 2b 所示,通过将 LiNbO3 替换为 LiTaO3,该材料的双折射率降低了 17 倍(ne − no = 0.004),我们抑制了 TE 和 TM 模式的交叉。我们比较了由 LiNbO3(图 2c)和 LiTaO3(图 2d)制成的两个相同环形谐振腔的测量色散谱。结果表明,LiTaO3 中的双折射模式混合大大减少了局部谐振频率失真。此外,图 2d 中的色散工程化 LiTaO3 波导(补充信息)提供了一个平坦的全局色散谱,且没有可测量的局部双折射失真,使其适用于跨越一个八度的电光梳状谱生成。图 2e,f 比较了 LiNbO3 和 LiTaO3 的模拟梳状谱,其中有效耦合速率为 g = 0.35ωFSR,使用来自图 2c,d 所示测量的非色散工程化 Dint 轮廓。我们观察到,由于双折射模式混合,LiNbO3 中的梳状谱线功率在超过 1450 nm 后显著下降,而 LiTaO3 中的梳状谱跨度没有受到这个问题的限制。

设备实现 

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图 3 | 三重共振电光频率梳与单片集成微波谐振腔。
a,集成 LiTaO3 电光频率梳生成器的光学显微图。梳状谱生成器由一个空气包覆的 LiTaO3 环形微谐振腔(深蓝色)和一个共面波导(CPW)谐振腔(黄色)组成,铝空气桥形成一个短端终止的 λ/2 谐振腔。微波谐振频率通过感应加载的微结构工程化,以匹配光学重复率。
b,空气桥和微结构化 CPW 的着色扫描电子显微镜(SEM)图。刻蚀的 LiTaO3 光子波导(深蓝色)位于空气桥下方。
c,微波和光子谐振腔的示意图。通过不断改变探针着陆位置 ℓf,可以调节共面波导谐振腔的外部耦合率,以实现临界耦合。
d,LiTaO3 环形谐振腔的归一化传输,具有超过七百万的内在品质因数 Qo,0。
e,单片集成 CPW 微波谐振腔的测量反射系数,在共振时返回损耗小于 −40 dB。谐振频率与光学 FSR 匹配(在 9 dB 带宽内)。
f,使用不同内在微波品质因数和探针着陆位置 ℓf 的模拟微波 S11。通过探针着陆位置调节有效外部耦合率,从而为广泛的内在品质因数 Qm,0 实现临界耦合。
g,给定梳状谱跨度所需的微波功率的模拟,分别针对共振和非共振电极设计。
h,使用 13 dBm 的 CMOS 级芯片内微波泵浦功率进行高效的梳状谱生成(设备 ID:D154_03_F6_C2_R104)。
i,测量的生成电光梳的输出谱,分别使用传统的非共振电极(红色,设备 ID:D154_03_F6_C11_R102)和单片 CPW 谐振腔(蓝色,设备 ID:D154_03_F6_C4_R202)。共振设计将梳状谱从 100 nm 跨度扩展到 450 nm 跨度,斜率从 1.2 dB THz−1 减少到 0.3 dB THz−1。生成的 LiTaO3 电光梳覆盖了整个光学通信 U、L、C、S 和 E 波段,超越了 LiNbO3 电光梳所面临的双折射限制。插图:放大图显示 186 THz 到 187 THz 之间的梳状谱线。比例尺,500 μm(a),50 μm(b)。

为了实现集成的三重共振结构,我们使用嵌入在金 λ/2 共面波导微波谐振腔中的光学 LiTaO3 环形谐振腔,该微波谐振腔周期性地加载有感应槽微结构,如图 3a 所示。这个加载增加了内在的微波品质因数 Qm,0(参考文献 44,45),同时产生一种慢波效应,使共振频率与光学 FSR 对齐。两端的悬挂金属桥形成短路终端(图 3b),在中心提供最大电场强度(图 3c)。这种场分布实现了微波和光学模式之间的理论最佳相位匹配,最大化了 g0(补充信息)。微波泵浦通过地–信号–地微波探针耦合,探针偏心放置以实现临界耦合。高约束力的 LiTaO3 光子波导使金电极能够仅距离其边缘 2 μm 同时保持高的内在光学品质因数,超过 7×10^6(图 3d)。图 3e 显示了临界耦合微波谐振腔的测量反射系数 S11,Qm,0 ≈ 13。为了实现更高的微波品质因数,可以消除额外的寄生损耗(补充信息)并减少金属损耗,例如通过使用银或铜电极。这种谐振腔拓扑结构使得通过调整探针着陆位置来调节耦合速率,而不会影响场分布。这项技术保证了在广泛的内在品质因数范围内实现临界耦合微波模式,如图 3f 所示。光学梳状谱边带和微波泵浦同时共振,以提高调制效率。

在我们的三重共振系统中,单光子耦合速率测量为 g0 = 2π × 2.2 kHz(补充信息)。微波谐振腔经过临界耦合,以最大化腔内光子数 nm,从而增强有效耦合速率 g。对于临界耦合的 λ/2 站波谐振腔,腔内功率通过其品质因数 F = / Qm,0 (2π) ≈ 2 相对于入射功率得到了增强。与 50 μm 宽的非共振电极结构相比,g 预期提高四倍(补充信息)。这种改善大大高于 F,因为非共振电极不表现为单位品质因数的系统。相反,由于与探针的阻抗不匹配,波浪效率地耦合到电极,随后经历多次反射和部分破坏性干涉。该效应可以通过传输线模型完全捕获(补充信息)。这也意味着,谐振结构需要的微波功率减少 16 倍,以实现相同的跨度,如图 3g 所示。图 3h 显示了通过 13 dBm 的芯片内微波功率(LVCMOS 兼容电压水平)在欠耦合的铌酸锂绝缘体(LTOI)谐振腔上生成的三重共振梳状谱。图 3i 比较了在两个类似的过耦合 LTOI 环形微谐振腔中生成的电光梳谱,分别使用非共振和共振微波结构,这两个结构具有相同的光学波导横截面和波导–电极间隙。在这两种情况下,设备都通过 37 dBm 的芯片内微波功率以约 29.6 GHz 的载频进行泵浦。在非共振设计中,我们测得的梳状谱跨度为 8 THz,第一阶边带的 −20 dB 处,对应约 1.2 dB THz−1 的梳状谱斜率。由于微波谐振腔的存在,梳状谱跨度增加了四倍(或相同跨度所需功率减少了 16 倍),并且在 450 nm 以上的跨度(图 3i)上测得,斜率约为 0.3 dB THz−1。梳状谱的不对称性是由于波长依赖的光学谐振腔-母波导耦合,而功率波动则是由于高效的微波功率传输与谐振结构产生的热效应的副产品。改进的光子封装和工程化的滑轮耦合器可以解决这些问题。

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图 4 | 不依赖频率偏移的混合集成超宽带梳状谱源。
a,混合集成三重共振电光梳生成器的光学图像。
b,电光梳生成和表征的实验设置。
c,在激光二极管电流变化过程中生成的电光梳的光学频谱图。
当 DFB 激光二极管开始工作时,梳状谱立即生成,宽带梳状谱可以在广泛的电流范围内维持(对应泵浦激光频率偏移),跨越三个光学 FSR。
d,光学谱(在 c 中指示的 DFB 电流下的线切割),对应几种激光二极管电流设置。每个对应的激光腔频率偏移 ΔL 被标记。
e,测量的归一化梳状谱斜率 Pμ+1/Pμ,在激光频率偏移 10 THz(1,640 nm)时的变化。梳状谱的存在范围超过 28 GHz,覆盖超过 FSR 的 90%。在此范围内,梳状谱形状几乎不变。
f,在周期性激光开关过程中检测到的梳状谱重复率信号,展示了稳定的交钥匙操作。
g,激光二极管电流经历三角波调制时,测量的梳状谱线位置的时间-波长频谱图,在 7 THz 偏移时。由于微波增强,能够扫过整个 FSR。
AMP,微波功率放大器;OSA,光学光谱分析仪;PD,快速光二极管。比例尺,1 mm。

接下来,我们研究了在微波场增强的 MMIC 腔体存在下,电光梳可以维持的激光频率偏移范围。图 4a 显示了混合集成梳状谱生成器的照片,图 4b 显示了实验设置。我们将一个分布反馈(DFB)激光二极管与 LTOI 芯片的边缘进行对接,耦合损耗为 3 dB。激光二极管由外部直流电流源控制,生成的梳状谱通过带有透镜的光纤从光子芯片上收集。图 4c 说明了不同激光电流下梳状谱的变化,图 4d 展示了三个示例谱。当电流增加时,泵浦激光频率会跨越三个 FSR。值得注意的是,在电流超过激光阈值后,我们立即获得了宽带梳状谱,并且在宽广的电流范围内能够维持这一宽跨度。梳状谱存在范围由 ∣ΔL∣ < 2g 给出。扩展的梳状谱存在范围是增强的电光相互作用强度的直接结果,而不是自注入锁定(见补充信息)。图 4e 显示了激光频率偏移 10 THz(1,630 nm)时的测量梳状谱斜率(大约 1,547 nm 载波频率)。梳状谱斜率在超过 28 GHz 的范围内保持几乎恒定,占 FSR 的 90%。这一观察表明,以 90% 的概率,可以为随机选择的泵浦电流生成类似跨度的频率梳。这也表明,梳状谱对于泵浦频率波动和腔体共振抖动对环境变化的影响更加具有韧性。图 4f 说明了在周期性激光开关期间测量的重复率信号,展示了稳定的交钥匙操作。大范围的梳状谱存在使得能够连续地扫过整个 FSR 的所有梳状谱线,在跨度内没有谱洞(图 4g)。这一特性对于基于芯片的传感和相干测距应用尤为重要。

总结与展望 

总之,我们已经展示了一种超宽带集成的三重共振电光频率梳生成器,使用新兴的薄膜 LiTaO3 平台。该材料选择有助于克服传统使用的 LiNbO3 所面临的双折射跨度限制,从而扩展谱覆盖范围(参考文献 7,8,24)。我们利用单片站波微波谐振腔优化与光学模式的场重叠和相位匹配,实现了单光子电光耦合速率 g0 = 2π × 2.2 kHz,比先前的块体共振实现大 300 多倍。这个临界耦合的 MMIC 谐振腔进一步增强了腔内微波泵浦光子数,同时消除了功率反射,从而增强了有效的电光耦合速率。强耦合使得宽带梳状谱生成能够在超过 90% FSR 的激光频率偏移范围内实现,从而使得可以通过自由运行的 DFB 激光二极管实现交钥匙操作并进行整个 FSR 的扫频。这一特性允许激光二极管的混合集成,使得梳状谱生成器能够适应 1 cm² 的占地面积。至关重要的是,由于高效的光学边带生成,我们实现了超过 450 nm 的梳状谱跨度,并且具有超过 2,000 条梳状谱线,远远超过了 29.6 GHz 间隔的电信 E、S、C、L 和 U 波段。这种超宽梳状谱是在低于 7 W 的总芯片内功耗下实现的,包括微波泵浦和激光二极管电流的贡献。此外,13 dBm 的低微波泵浦功率产生了 80 nm 的梳状谱跨度,与非共振电极相比,功率减少了 16 倍。这一进展为进一步在 PIC 组件之间进行系统级集成奠定了基础,例如用于超快调谐的次级自注入锁定环和提高效率的谐振腔,以及低功耗、兼容模拟 CMOS 的微波电路和高效的 GaAs 和 GaN MMIC,为混合微波光子处理器和芯片级光学计量铺平了道路。除了梳状谱生成,方程式(1)给出的三重共振哈密顿量还允许通过光学泵浦介导的微波和光学模式之间的有效相互作用。因此,将当前的集成架构扩展到超导电路可以促进毫米波超导量子比特的量子态传输,并且要求较低的冷却要求。通过将滑轮式光学耦合器替换为频率选择性耦合的耦合谐振腔,我们预期自参考的跨越一个八度的电光梳生成可能指日可待。这种宽带电光梳有可能通过部分频率分割显著增强低噪声微波生成。值得注意的是,梳状谱线的数量直接影响相位噪声的抑制程度,在我们的实现中可能达到超过 60 dB。因此,我们的结果代表了电光梳技术向现场部署迈出的重要一步,为高性能集成电光光子学的单片微波代码设计策略奠定了基础。

作者团队,作者单位详见下方:

Junyin Zhang1,2,6, Chengli Wang1,2,6, Connor Denney3,6, Johann Riemensberger1,2,5,6,

Grigory Lihachev1,2, Jianqi Hu1,2, Wil Kao1,2, Terence Blésin1,2, Nikolai Kuznetsov1,2, Zihan Li1,2,

Mikhail Churaev1,2, Xin Ou4 ✉, Gabriel Santamaria-Botello3 ✉ & Tobias J. Kippenberg1,2 ✉

Institute of Physics, Swiss Federal Institute of Technology Lausanne (EPFL), Lausanne, Switzerland. 2Institute of Electrical and Micro Engineering, EPFL, Lausanne, Switzerland. 3Departement of

Electrical Engineering, Colorado School of Mines, Golden, CO, USA. 4State Key Laboratory of Materials for Integrated Circuits, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,

Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China. 5Present address: Department of Electronic Systems, Norwegian University of Science and Technology, Trondheim, Norway. 6These authors

contributed equally: Junyin Zhang, Chengli Wang, Connor Denney, Johann Riemensberge.


关于我们:

OMeda成立于2021年,由3名在微纳加工行业拥有超过7年经验的工艺,项目人员创立。目前拥有员工15人,在微纳加工(涂层、光刻、蚀刻、双光子印刷、键合)等领域拥有丰富的经验。 同时,我们支持4/6/8英寸晶圆的纳米加工。 部分设备和工艺支持12英寸晶圆工艺。针对MEMS传感器、柔性传感器、微流控、微纳光学等行业。 我们将凭借先进的设备、仪器和经验,为您带来可靠性、性能优良的产品和高效的服务

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