氧化镓单晶衬底和外延片

我们可以提供氧化镓单晶衬底和外延片


单晶衬底:

尺寸:4inch,2inch,10*10mm,10*15mm

掺杂:非掺杂,Sn掺杂,Fe掺杂

晶面:100 010 001

厚度:统一为650um+-20um


外延片:

Al2o3基外延片


基本原理:

氧化镓单晶衬底的制备基本原理主要包括以下几个方面:


1. 外延生长:通过外延生长技术,在氧化镓单晶衬底上沉积氧化镓外延片,通常采用的技术包括化学气相沉积(CVD)或者分子束外延(MBE)等。

2. 晶格匹配:外延生长的氧化镓外延片需要与衬底具有良好的晶格匹配性,以确保高质量的外延片生长。

3. 掺杂控制:根据具体应用需要,对氧化镓外延片进行适当的掺杂,以调节其光学和电学性质。


种类:


氧化镓单晶衬底的种类主要包括:


1. 无掺杂氧化镓衬底:纯净的氧化镓材料衬底,通常用于制备高质量的氧化镓外延片。

2. 掺杂氧化镓衬底:通过在氧化镓中掺入特定的杂质元素,如稀土元素或过渡金属,以调节其光学、电学或磁学性质。


应用领域:


氧化镓单晶衬底在以下领域具有广泛的应用:


1. 光学器件:如激光器、LED(发光二极管)、LD(激光二极管)等。

2. 光电子器件:如光伏器件、光电探测器等。

3. 传感器:如光学传感器、化学传感器等。


氧化镓单晶衬底由于其良好的光学性能、热学性能和化学稳定性,在光电子器件制备中扮演着重要角色。其应用范围涵盖了从光通信到光电能转换等多个领域。