应变和非应变GEOI晶圆
上海奥麦达微基于外延工艺提供2种GEOI晶圆
规格如下：
应变锗
Device Layer： Ge 30-35 nm Ge组分70%(±3%)
BOX Layer:20nm;
Handle Layer :775um Si P100 1-100ohm*cm
驰豫锗
Device Layer： Ge 20nm(±3nm） Ge组分100%
BOX Layer:20nm;
Handle Layer :775um Si P100 1-100ohm*cm
同时我们提供其他类型的 GEOI产品
MOS,量子,Finfet用:
应变锗晶圆/非应变锗晶圆
硅光用:
硅波导上锗外延代工做硅锗探测器北方华创设备，max12inch
中远红外波段锗波导:GeOi晶圆：
半导体设备厂，湿化学品厂:
不同成分外延锗晶圆
5% 10% 15% 20% 25% 30% 50% 75% 100% 成分锗外延衬底 ，max 12inch
